[作者]:高义华 [来源]:高义华 [时间]:2006-11-06

讲座人：华中科技大学 武汉光电国家实验室  高义华 教授
时间：11月6日（星期一） 下午 3：30-4：30
地点：中南民族大学 化学楼 一楼报告厅

讲座摘要：
    本报告共分七部分。第一部分： Zn-S-Cd和Zn-S-P 两系统的纳米线中异质结的界面结构研究。兴趣集中于异质结构的晶体间取向关系、界面原子排布、失配和位错的产生上；第二部分：纳米温度计的发现和纳米温度计中温度记录的工作； 第三部分，讲述了SiC纳米晶包埋的Si3N4 纳米棒中的SiC/Si3N4 界面结构，用界面结构理论很好地解释了三种小角度界面；第四部分，讲述了Ga2O3 纳米线的研制、拉曼散射性质和缺陷结构，发现了纳米线中的拉曼散射红移现象，用孪晶和新发现的刃位错缺陷组成的结构单元观点解释了红移现象；第五部分，C+-离子注入Si发蓝光薄膜的高分辨电镜研究，得到层次结构基础，初步解释了发光谱的兰移现象；第六部分，稀土替代2:17 型稀土永磁的多磁性元居里温度唯象理论研究，得到一个形式优美的行列式方程，由此可求解出居里温度。三磁性元(Sm1-xPrx)2Fe17永磁合金中的居里温度实验可以验证此居里温度理论的正确性；第七部分，讲述了Fe2O3 胶体的冰冻电镜研究，得到胶体的浓度可能影响Fe2O3 胶体结晶度的结论。

责任编辑:武汉光电国家实验室