[作者]:武汉光电国家实验室 [来源]:武汉光电国家实验室 [时间]:2008-02-21

    武汉光电国家实验室（筹）光电子器件与集成研究部近期因研究项目发展需要，欲招收博士后1～2名，具体研究方向和要求如下：
    研究领域：一维纳米基的光电热材料与器件研究。
    研究内容：
    1. 研制高质量的GaN和ZnO基一维纳米阵列结构,  实现结构、组分、n型和p型掺杂精确控制，研究其光电性能；设计与优化一维纳米结构为基的LED，FET等光电器件，解决均匀性、稳定性、低阈值等关键问题。
    2. 研制高产量形状优化的Ga填充均匀碳管、MgO管或SiO2 管纳米温度计；开展纳米温度计集成器件的制造工艺研究 ，制作温度测控核心元件，研究电阻与温度特性，给出温度测控的最佳解决方案。

    合作老师：高义华教授
    申请时请提供以下材料：
    (1) 教育经历（本科、硕士、博士）；
    (2) 博士期间参加的主要科研工作简介；
    (3) 博士论文的主要内容；
    (4) 发表（含录用）论文清单；
    (5) 获奖情况；
    (6) 预计能够进站的时间。
    申请程序：
    指导老师审阅材料——网上报名——通过流动站初审——指导小组面试考核——递交各项材料——流动站审核盖章——武汉光电国家实验室（筹）备案——华中科技大学博管办审核——湖北省博管办审核

    详见http://wnlo.hust.edu.cn/employment/index3.php
    武汉光电国家实验室（筹）博士后进站流程图
    合作老师：高义华
    联系电话：027-87792242-806，15807135274（高义华）E-mail：gaoyihua@mail.hust.edu.cn
87792516（办公室杨海斌）
 
    地址： 武汉市华中科技大学珞瑜路1037号
    联系方式：邮编：430074 华中科技大学主校区127号信箱 电话：87557463 87792227 87557460
    传真：87792225 电邮：wnloifm@mail.hust.edu.cn

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