单片集成可调谐半导体激光器是下一代光网络的关键器件之一。它不仅能为密集波分复用(DWDM) 系统提供及时、有效的库存管理和信道快速建立功能,而且还能极大地降低光源备用方案的成本;更为重要的是,它还能为下一代可重构光网络提供自动波长配置、波长转换和波长路由功能,从而大大增加网络的灵活性和带宽利用率。
然而单片集成可调谐半导体激光器工艺复杂、技术门门槛比较高,长期以来相关核心技术处于国外垄断状态。为此,武汉光电国家实验室余永林教授课题组与武汉光迅科技股份有限公司积极开展合作,在共同承担的科技部863项目“ 基于纳米压印技术的集成光电子器件结构与工艺创新”(2009AA03Z418)中,发挥产学研优势,研制出具有核心自主知识产权的新型单片集成可调谐数字级联光栅半导体激光器。激光器准连续调谐范围超过32nm,整个调谐范围内边模抑制比大于30dB,输出功率不均匀性小于2dB。该项目已于2012年5月15日顺利通过科技部高技术中心组织的现场验收。
该项研究成果表明,在可调谐半导体激光器自主研制方面我们取得了从设计到制作的突破,对提升我国高端单片集成光子器件的研发和应用意义重大。
(责任编辑:陈智敏)