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2012年

基于Zn2GeO4和 In2Ge2O7纳米线薄膜的柔性紫外光探测器件

来源:武汉光电国家研究中心     作者:    发布时间:2012年03月20日    浏览:

在光电子器件的研发中,越来越多的要求器件具有柔性,透明等特性,以满足应用上的便捷、美观和适应一些特殊使用场合等要求。下一代的光电子器件尤其是能量转换、储能和显示器件将越来越多的往柔性和透明的方向发展。
武汉光电国家实验室沈国震教授领导的团队从功能纳米材料出发,结合国内外在纳米线光电导器件领域的最新研究进展,设计了一种具有高度柔性的紫外光探测器件,并给出了可靠的测试数据。该方法具体如下:首先使用化学气相沉积(CVD)的方法,生长出高质量的多元氧化物Zn2GeO4和 In2Ge2O7纳米线的薄膜。在此基础上,通过简单的转移,将得到的纳米线薄膜转移到柔性的PET衬底上,最后印刷上Ag电极,制备成柔性的紫外光探测器件。测试结果表明,这种结构的日盲型探测器件对于弱紫外光有很好的响应,重复性和稳定性也非常优异。尤其值得一提的是,这种器件可以经受任意角度、反复的弯折而器件的性能基本不受影响。这为柔性器件的设计和向实用化方面的拓展提供一种很好的思路,也为进一步研究基于单根纳米线以及纳米线阵列的柔性透明的光电子器件给出了一种可借鉴的理论模型和实验方法。

该项研究成果发表在Optics Express (vol. 20, Issue 3, pp. 2982-2991, 2012)上。相关研究得到了国家自然科学基金面上项目(21001046, 51002059),973计划(No.2011CB933300)和中央高校基础研究基金(HUST:2010QN045)的资助。

(责任编辑:陈智敏)