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2010年

光子晶体慢光波导品质因子的优化提高

来源:武汉光电国家研究中心     作者:    发布时间:2010年11月22日    浏览:

微纳结构的慢光技术是构建下一代芯片级全光缓存的关键。未来片上光子技术取代电子技术的核心是光缓存、光逻辑门等全光信号处理。虽然当前的一些研究者在慢光研究方面提出了一些改善光子晶体带宽的新型结构,但是这些结构的慢光品质因子 延迟— 带宽积很低。虽然某些结构取得了大的延迟—带宽积,但是慢光的程度却损失了(光速被增加)。当前慢光品质因子的增加是以牺牲慢光为代价的。

武汉光电国家实验室(筹)硅基光互连和信号处理小组的博士生郝然,在张新亮教授和郜定山副教授指导下,首次提出了一种有效的增大延迟-带宽积的优化方法,并且这种方法没有改变光速,也就是说,不以牺牲慢光程度为代价。这一研究对于光子晶体慢光波导的应用有重大意义,极大地提高了慢光器件的整体性能,只修改常规光子晶体的某些几何参数就能实现,可以不再需要复杂外在条件。况且,我们提出的这种优化途径是一种普遍适用的方法,可以适用于已发表的所有基于光子晶体的慢光结构,增加它们的延迟—带宽积

该项工作得到French Government Scholarship支持,相关的研究成果发表在Optics ExpressVol. 18, Iss. 16, pp.16309–163192010)上。

(责任编辑:陈智敏)