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招聘信息

武汉光电国家实验室(筹)招聘博士后启事

来源:武汉光电国家实验室(筹)     作者:    发布时间:2009年02月27日    浏览:

武汉光电国家实验室(筹)光电子器件与集成研究部近期因研究项目发展需要,欲招收博士后2~3名,具体研究方向和要求如下:

研究领域:
一维纳米基的光电热磁材料与器件研究。
研究内容:
1. 研制高质量的GaN和ZnO基一维纳米阵列结构, 实现结构、组分、n型和p型掺杂精确控制,研究其光电性能;设计与优化一维纳米结构为基的LED,FET等光电器件,解决均匀性、稳定性、低阈值等关键问题。
2. 研制高产量形状优化的Ga填充均匀碳管、MgO管或SiO2 管纳米温度计;开展纳米温度计集成器件的制造工艺研究,制作温度测控核心元件研究电阻与温度特性,给出温度测控的最佳解决方案。
申请时请提供以下材料:
(1) 教育经历(本科、硕士、博士);
(2) 博士期间参加的主要科研工作简介;
(3) 博士论文的主要内容;
(4) 发表(含录用)论文清单;
(5) 获奖情况;
(6) 预计能够进站的时间。
申请程序:
指导老师审阅材料网上报名--通过流动站初审--指导小组面试考核--递交各项材料--流动站审核盖章--武汉光电国家实验室(筹)备案--华中科技大学博管办审核--湖北省博管办审核
武汉光电国家实验室(筹)博士后进站流程图
合作老师:高义华教授
联系电话:027-87792242-806,15807135274
行政办公室主任:杨海斌
电话:87792516 传真:87792225
地址: 武汉市华中科技大学珞瑜路1037号
联系方式:华中科技大学主校区127号信箱 邮政编码430074
(责任编辑:杨海斌)