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【长江日报】 武汉闪存技术获突破 武汉新芯欲投2000万产业化

来源:武汉光电国家研究中心     作者:    发布时间:2008年11月25日    浏览:

闪存芯片发展到一定容量很难提高。昨日,从首届光子与光电子学会议获悉,武汉光电国家实验室(筹)已在实验中,成功研制出一种新的芯片技术--相变随机存储器。

据了解,光谷最大的芯片生产商,武汉新芯集成电路制造有限公司表示,将在该技术成熟后投入2000万元进行产业化。

武汉国家实验室(筹)副主任谢长生介绍,现有闪存芯片技术,在达到30纳米技术后,由于其密度过高,将导致发热过多,漏电增大,很难再提高。而'相变随机存储器'能克服这些弊端,提高容量,且读写速度更快。目前,国内已有多个研发机构开展该项研究。

据介绍,该实验室(筹)研发的该技术,由从新加坡引进的专家缪向水负责。目前,该技术已攻破单元技术,原理上可以工作了,但需要在工艺上进一步产业化。

(责任编辑:张玲)