武汉光电国家实验室（筹）微纳光电子技术团队近期因研究项目发展需要，欲招收博士后2～3名，具体研究方向和要求如下：
研究领域：
薄膜光电材料和器件；光学MEMS；
研究内容：
1. 研究薄膜光电材料的反应溅射制备工艺和材料表征以及相关器件的设计、制造和测试技术。
2. 研究光学MEMS器件的设计、工艺和测试技术；
申请时请提供以下材料：
(1) 教育经历（本科、硕士、博士）；
(2) 博士期间参加的主要科研工作简介；
(3) 博士论文的主要内容；
(4) 发表（含录用）论文清单；
(5) 获奖情况；
(6) 预计能够进站的时间。
申请程序：
指导老师审阅材料网上报名--通过流动站初审--指导小组面试考核--递交各项材料--流动站审核盖章--武汉光电国家实验室（筹）备案--华中科技大学博管办审核--湖北省博管办审核
详见http://wnlo.hust.edu.cn/employment/index3.php
武汉光电国家实验室（筹）博士后进站流程图
合作老师：陈四海教授
联系电话：027-87792364，13307127756
电子邮件：cshai99@163.com
人事干事：严国强、徐雯
电话：87792516 传真：87792225
地址： 武汉市华中科技大学珞瑜路1037号
联系方式：华中科技大学光电国家实验室B105 邮政编码430074