报告题目：高迁移率二维材料的制备与界面调控

时间：2023年2月27日15:00-16:30

报告人：彭海琳教授，北京大学

邀请人：唐江教授，华中科技大学

地点：华中科技大学新光电信息大楼C111

报告人简介：

彭海琳，北京大学博雅特聘教授。吉林大学学士（2000年）、北京大学博士（2005年），斯坦福大学博士后（2005~2009年），2009年到北京大学工作至今，主要从事二维材料物理化学与表界面调控研究，在高迁移率二维材料的精准合成、界面调控、制备装备研制和器件应用方面取得进展，已发表论文260余篇（含Science和Nature及子刊30余篇），连续入选“科睿唯安”高被引学者榜单，撰写中文专著两部，授权专利60余项。曾获国家杰青、万人计划领军人才、Small Young Innovator Award、茅以升北京青年科技奖、国家自然科学二等奖、教育部青年科学奖、科学探索奖等荣誉。现任北京大学化学与分子工程学院副院长、北京石墨烯研究院（BGI）副院长。

报告摘要：

高迁移率二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质及广阔的应用前景。本报告将介绍新型高迁移率二维材料（Bi2O2Se、石墨烯）的精准合成与关键界面结构调控方面的进展：率先开发了一类全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se，实现了二维单晶晶圆制备和表界面调控，构筑了高κ自然氧化物栅场效应晶体管、逻辑门、气体传感器及红外探测器件；实现了高品质石墨烯薄膜的精准快速合成和规模化制备，研制了石墨烯薄膜连续生长和4英寸石墨烯单晶晶圆生长装备，构筑了高性能石墨烯片上集成器件及硅光通信器件，并设计和开发了一系列高品质石墨烯透射电镜载网，成功应用于高分辨冷冻电镜成像表征。

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