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武汉光电论坛第217期:二维半导体“偏振光电流”的单像素图像处理与识别

来源:   作者:  发布时间:2024年09月09日  点击量:

报告题目:二维半导体“偏振光电流”的单像素图像处理与识别

时间:2024年9月13日10:00-11:30

报告人:魏钟鸣 研究员,中国科学院半导体所

邀请人:唐江 教授,华中科技大学

地点:华中科技大学新光电信息大楼C117

报告人简介:

魏钟鸣,男,中国科学院半导体研究所研究员、博导,中国科学院大学岗位教授。2005年本科毕业于武汉大学,2010年7月于中国科学院化学研究所获理学博士学位。2010年8月至2013年8月,在丹麦哥本哈根大学从事博士后研究。2013年9月至2015年1月,在丹麦哥本哈根大学任助理教授。2015年2月回国,入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事新型低维半导体材料与器件的研究工作,以通讯或共同通讯作者在Science、Sci. Bull.、Nature Synthesis、Adv. Mater.、IEEE EDL/TED等期刊发表论文80多篇,入选“电子科学与技术学科”Elsevier 2020至2023年中国高被引学者。先后获得基金委优秀青年科学基金(2016)、国家杰出青年科学基金(2021)等项目的资助。

报告摘要:

近年来,二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。相比于零带隙的石墨烯,二维半导体材料如MoS2、WS2等具有一定宽度的带隙,使其可以广泛应用于各种电子和光电子器件(包括晶体管、存储器和探测器等)。我们课题组针对二维半导体材料与光探测器进行了长期的探索,围绕材料的设计、制备和器件功能已经取得一些进展。作为一种特殊的光电器件,偏振光探测器在成像、识别、通信等领域有重要的应用价值,这里我们主要针对新型二维半导体在偏振光探测方面的原型器件和工作机理进行汇报。发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe与SnSe等材料表现出优异的偏振光探测性能,并且探测波段覆盖从紫外、可见到近红外区。实现了基于二维半导体的偏振光探测信号放大、数字信号输出和偏振图像传感器原型器件,进而进行了基于偏振光电流的单像素图像处理与识别探索。