根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心孙军强团队的“一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

成果包含如下1项知识产权：

（1）发明专利：一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件

发明人：孙军强，张意

专利号：ZL201811529867.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件,包括:P型硅衬底,P型锗硅合金缓冲层,本征锗硅合金下隔离层,本征锗硅合金耦合量子阱层,本征锗硅合金上隔离层,N型锗硅合金盖层,本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成,单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱,一个中间薄壁垒,两个侧边壁垒组成,相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区,两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同,中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒.中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱,势垒高度比两侧势垒区高,防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合,在加电场发生耦合时,对两个量子阱的耦合控制效果更好.

二、拟交易价格

普通许可：75万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与深圳爱德泰科技有限公司协商，双方同意该成果以协议定价75万元实施许可，期限5年。

特此公示，公示期15日，自2023年3月17日起至2023年3月31日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：曹老师，谭老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2023年3月17日