根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心刘建国团队的“民用氮化铝陶瓷材料表面高结合强度立体线路的共形制造技术”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

成果包含如下1项知识产权：

发明专利申请权：蚀刻液及其应用、陶瓷表面高结合强度金属层制备方法

发明人：刘建国,项徽清

申请号：202110337612.X

申请权人：华中科技大学

简介：发明“蚀刻液及其应用、陶瓷表面高结合强度金属层制备方法”，公开了蚀刻液及其应用、陶瓷表面高结合强度金属层制备方法。蚀刻液由以下重量百分比的原料组成：浓硫酸92-98 wt.%，冰晶石0.1-8wt.%，硼酸0.1-8wt.%，各组分含量之和为100%。其中，浓硫酸用于对陶瓷表面进行蚀刻；冰晶石和硼酸主要起到助熔（溶）、促熔（溶）作用，与高温浓硫酸配合，可以加速陶瓷的均匀蚀刻去除，提高蚀刻效率和均匀性。制备方法包括：在一定温度下，对洁净的氧化铝陶瓷表面进行均匀刻蚀，产生均匀的蚀刻微结构。该表面经清洗后，经敏化、活化和化学镀铜等传统步骤，即可在氧化铝陶瓷表面获得高结合强度的金属铜层，结合强度可以达到40MPa以上，平均剥离强度可以达到3.5-10N/mm。

二、拟交易价格

普通许可：50万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与品翔电子元件（漳州）有限公司协商，双方同意该成果以协议定价50万元实施许可，期限3年。

特此公示，公示期15日，自2023年8月9日起至2023年8月23日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：谭老师，曹老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2023年8月9日