为推动华中科技大学教育事业的发展，激励学生和教师勤奋学习、刻苦钻研，鼓励华中科技大学的学生从事光电子信息领域的研发，以提升我国在此领域的科技水平和培养优秀科技人才，长芯博创科技股份有限公司出资在我校设立“长芯博创奖学金”，以对我校品学兼优的全日制学生进行奖励，现将评选推荐工作有关事项通知如下：

一、奖励对象、名额与金额

武汉光电国家研究中心全日制在籍博士研究生，要求德、智、体、美、劳全面发展、专业能力突出。奖励名额为1个，金额为30000元。

二、基本条件

1.热爱祖国、遵纪守法、品行端正、举止文明，积极参加各项集体活动，乐于助人，具有较强的社会责任感和团结协作精神；

2.学习勤奋刻苦，本科生需通过英语四级，且专业成绩排名本专业前25%，评奖学年度无不合格课程记录，有进行科研创新、创业或科技管理和服务的热情和志向；

3.对某些学术课题的研究比较深入，或具有较强的科学研究能力和创新精神，在学科竞赛及重大科技活动中成绩优异者优先考虑；

4.长期坚持社会公益、志愿服务活动，有社会责任感，担任学生干部者优先考虑。

三、评选流程

1.个人申请。符合条件的学生向研究中心提出申请。填写《华中科技大学社会奖学金申请审批表》（附件1），提交相关证明材料，所有材料需加盖院系公章。

2.院系评审。研究中心对报名材料进行认真审查。根据申请条件与学生情况综合筛选出推荐人员名单，填写《长芯博创奖学金申请一览表》（附件2），加盖院系公章；评审完成后，拟获评学生名单将进行不少于3个工作日的公示。

3.名单确定。研究中心报送申请奖学金的学生材料。学生事务工作办公室收集申请材料后，统一发送至捐赠方，确定最终名单并发放奖学金。

四、申请材料

1. 附件1 华中科技大学社会奖学金申请审批表（需手写签名）；

2. 附件2“长芯博创奖学金”申请一览表；

3. 证明材料汇总（建议制作一个目录，扫描成一个pdf）：个人成绩单（加盖院系公章）、各类获奖证书（加盖院系公章扫描）；

4. 其他参考资料。

（注：附件1和2需发Word电子版，方便后期汇总）

请于2026年5月13日中午12:00前将上述评审材料纸质版提交至研究中心辅导员齐琳彤处（光电信息大楼C648办公室），电子版每人一个文件夹以“2025长芯博创奖学金-院系-姓名-学号”命名打包发送至1849218035@qq.com，请务必按时提交材料。

武汉光电国家研究中心

2026年5月9日