在大数据时代，磁记录因其具有显著的容量价格比优势而占有非常重要的地位。但是，磁记录由于超顺磁效应等问题正在面临其存储密度的理论极限，因此亟需探索下一代磁记录技术以突破现有的密度瓶颈。
　　信息存储与光显示功能实验室的博士生余国生、谢国强在导师陈进才教授指导下，采用微磁学与三维有限元方法深入分析了超高密度磁记录下瓦磁头的斜交效应，利用该效应提出了磁头设计的新方法；研究发现在一定的斜交角范围内记录数据信息可以减小写入误码率；提出将瓦记录与ECC介质技术相结合，有效克服了“ 三难困境（Trilemma）”中介质热稳定性与磁头写入能力的矛盾，为持续提高磁记录面密度提供了一条有效途径；此外，还研究了在瓦记录系统中记录介质特性以及写磁头参数对擦除带宽的影响，进而提出了减小擦除带宽的写磁头各参数优化配置方法，提高了瓦记录系统的性能。
　　上述结果分别以“ 瓦记录系统中的斜交角所致邻近道擦除效应”（Skew effect-induced track erasure of shingled magnetic recording system）、“ 瓦记录系统中ECC介质的矫顽力角相关性与误码率估计”（Angular dependence of coercivity and bit error rate estimation for shingled magnetic recording with ECC media）、“ 瓦记录中的斜交角与转角导致的擦除带宽噪声（Skew and corner angle induced erase band noise for shingled magnetic recording）”为题，发表在国际磁记录领域顶级刊物《IEEE Transactions on Magnetics（2014,Vol. 50, no. 11; 2015, Vol. 51, no. 5）》和磁记录领域顶级会议“ Intermag 2015”上。
　　该项研究得到了国家自然科学基金（No.61272068, 60773189, 51001051）的资助。

　　　　图　 不同写角与斜交角条件下的瓦记录磁头场强分布