光刻作为维纳器件制备过程中最关键的一道工艺，对器件的集成度有着决定性的作用。光学光刻技术（optical lithography）采用的有机光刻材料存在着光子累积效应导致光刻图形边缘模糊。相变光刻技术（phase-change lithography）是一种新型光刻技术，它采用无机相变材料，主要是以GeSbTe为代表的硫系化合物半导体材料，该材料在激光辐照所产生热能的作用下发生从非晶态（amorphous）到晶态（crystalline）的转变，利用非晶态材料和晶态在刻蚀液中溶解度的不同，经刻蚀便可得到预期的信息图案。由于相变光刻热分布的非线性和相变材料的快速相变,相变光刻不存在光子累积效应，因而能获得更细的线宽，得到比激光光斑更小的图形，且比传统光学光刻技术产生的凹槽边沿陡峭。
　　最近，武汉光电国家实验室信息存储材料及器件研究团队博士生曾笔鉴、硕士生黄君竹、倪日文等在缪向水教授的指导下，首次发现了适用于相变光刻的金属光刻胶。相关结果于6月16日 发表在Nature出版集团旗下刊物《科学报告》（Scientific Reports），论文题为“ 相变光刻的金属光刻胶”（Metallic resist for phase-change lithography）。
　　研究人员提出利用镁铜钇（MgCuY）金属玻璃薄膜作为相变光刻的光刻胶, 实验发现该金属薄膜在硝酸乙醇溶液中得到了大于3倍的刻蚀选择比。在曝光过程中，由于MgCuY金属材料超高的热导率，热量在薄膜纵向的传播能力远大于GeSbTe半导体材料。他们发现在一定的激光脉冲范围内，在MgCuY金属薄膜内部所形成的相变区域会更加接近于理想的圆柱形，而GeSbTe半导体薄膜内部的相变区域则更趋近于碗状，相比而言MgCuY金属薄膜在曝光后有着更为完美的光刻区域。
　　该研究提出的金属光刻胶，在传统光学光刻技术已逼近极限的今天，由于其高性价比、优异的光刻质量、无毒、易操作等众多优点，期望能在未来的光刻技术中占有重要的一席之地。
　　http://www.nature.com/srep/2014/140616/srep05300/full/srep05300.html