研究领域：

一维纳米基的光电热磁材料与器件研究。

研究内容：

1. 研制高质量的GaN和ZnO基一维纳米阵列结构, 实现结构、组分、n型和p型掺杂精确控制，研究其光电性能；设计与优化一维纳米结构为基的LED，FET等光电器件，解决均匀性、稳定性、低阈值等关键问题。

2. 研制高产量形状优化的Ga填充均匀碳管、MgO管或SiO2 管纳米温度计；开展纳米温度计集成器件的制造工艺研究，制作温度测控核心元件，研究电阻与温度特性，给出温度测控的最佳解决方案。

申请时请提供以下材料：

(1) 教育经历（本科、硕士、博士）；

(2) 博士期间参加的主要科研工作简介；

(3) 博士论文的主要内容；

(4) 发表（含录用）论文清单；

(5) 获奖情况；

(6) 预计能够进站的时间。

申请程序：

指导老师审阅材料网上报名--通过流动站初审--指导小组面试考核--递交各项材料--流动站审核盖章--武汉光电国家实验室（筹）备案--华中科技大学博管办审核--湖北省博管办审核 联系方式：华中科技大学主校区127号信箱 邮政编码430074

(责任编辑：杨海斌)