2012年 11月10日，平台邀请专家召开了“ 电子束光刻技术鉴定暨研讨会”。国家自然科学基金委潘庆，华中科学大学副校长、武汉光电国家实验室常务副主任骆清铭教授，校长助理、实验室党总支书记林林博士，实验室副主任谢长生教授等出席了鉴定会。北京大学工程师刘鹏，光电子微纳制造工艺平台书记黄鹰教授、主任夏金松教授、黄庆忠，能源光子学功能实验室周军教授等参加了会议。

鉴定委员会专家组成员包括中国科学院微电子研究所陈宝钦研究员、中国科学院半导体研究所余金中研究员、北京大学张大成教授、清华大学李群庆教授、中国科学院半导体研究所韩伟华研究员、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所时文华副研究员。陈宝钦任专家组组长。

会议由夏金松主持。他对参加鉴定暨研讨会的专家表示感谢，并简要介绍了在实验室领导的支持下，电子束光刻机的安装与运行情况。希望各位专家能够给予指导，帮助平台进一步提高电子束曝光微纳加工技术水平。

研讨会上，与会人员就电子束光刻技术进行了深入研讨。陈宝钦、余金中、李群庆、韩伟华、刘鹏、时文华分别以《电子束光刻工艺中抗蚀剂的应用》、《硅基光子集成》、《半导体器件微纳加工技术》、《电子束曝光应用成果汇报——NanoBeam nB3电子束光刻机》、《微光刻/电子束工艺探讨》为题作了精彩的报告，与大家分享了各自的研究与应用成果。同时，平台夏金松、周军还围绕“ 片上光互连用硅基微纳光子器件”与“ 电容式能源转化及存储”进行了汇报交流。

下午，鉴定会正式举行。骆清铭首先发表讲话，对电子束光刻技术鉴定表示欢迎，同时也特别感谢各位专家亲临指导。希望能够借助鉴定会这种形式，通过专家的现场鉴定，总结经验，更好地促进平台发展。

黄庆忠详细汇报了“ Vistec EBPG 5000+电子束光刻机”的工艺开发与技术服务情况。专家经听取技术报告、现场考察及充分讨论后，认为平台已经具备了微纳加工技术的核心竞争力，为微纳结构光电子器件的研制奠定了坚实的基础。
加工图形的极限宽度为7纳米，服务线宽为25纳米，写场拼接误差与套刻误差均小于15纳米。开发出适应不同需求的正性、负性电子抗蚀剂的标准光刻工艺，实现了硅基100纳米周期的光栅、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上200纳米周期的光子晶体和绝缘衬底上300纳米周期的光栅等器件结构制备。采用蒙特卡洛模拟仿真电子束在抗蚀剂中的邻近效应，并对电子束光刻图形进行有效的邻近效应校正，在 1毫米× 1毫米范围内实现周期为400纳米的光栅图形中心与边缘区域的线宽误差小于10纳米。设备在验收后10个月内，已经为校内外30多个用户提供了约300小时的加工服务，实现收入22万余元。

最后，鉴定委员会一致同意通过鉴定。同时，为充分发挥该系统的能力，专家建议完善微纳平台软硬件配套能力，如增加在线检测电镜，配备合理数量的工程技术人员。