华中科技大学武汉光电国家研究中心陈长清、戴江南研究团队近11年以来一直从事半导体深紫外发光芯片和器件领域（重点围绕Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes和Deep Ultraviolet Laser Diodes）的研究工作。近日，国际半导体业界权威刊物《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductors》相继报道团队研究新进展。

10月30日，国际著名半导体行业刊物《Semiconductor Today》（《今日半导体》）对团队发表在光学领域Top期刊ACS Photonics（IF:7.143，中科院JCR大类一区期刊）上的最新深紫外激光器（Deep Ultraviolet Laser Diodes）研究进行了专题报道（News Features）。该工作首次采用超薄AlN/GaN多量子阱作为深紫外激光器的有源区实现了室温光激励下峰值波长为249 nm的横电模（TE）受激发射现象，阈值功率密度为190kW/cm²。该工作由华中科技大学武汉光电国家研究中心陈长清、戴江南团队、沙特阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授团队以及中国科学院宁波材料技术与工程研究所叶继春研究员、郭炜副研究员团队共同完成。其中，华中科技大学为论文第一作者单位, 武汉光电国家研究中心博士生单茂诚和张毅为论文共同第一作者，陈长清教授、戴江南研究员和李晓航教授为该文的共同通讯作者。

据了解，Semiconductor Today是总部位于英国，具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名刊物，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

11月5日， 国际著名半导体行业刊物《Compound Semiconductors》（《化合物半导体》）对陈长清、戴江南研究团队发表在国际能源领域Top期刊《Nano Energy》（IF:15.548，中科院JCR大类一区期刊）上最新深紫外LED（Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes）研究进展进行了报道。该工作创新性地将p-i-n的探测结构单片集成在深紫外LED芯片中，实现了载流子循环注入、光倍增放大功能，获得了光电转化效率高达21.6%的深紫外LED芯片，为目前国际报道最高值。该工作为华中科技大学武汉光电国家研究中心陈长清教授、高义华教授、戴江南研究员，河北工业大学张紫辉教授和中国科学技术大学孙海定研究员的合作研究成果。其中，华中科技大学为论文第一作者单位, 武汉光电国家研究中心博士生王帅和龙瀚凌为论文共同第一作者，戴江南研究员为该论文的通讯作者。

据悉，《Compound Semiconductors》是全球最重要和最权威的半导体刊物，重点介绍国际先进半导体技术进展，为国际读者提供化合物半导体行业的专业知识。

陈长清、戴江南团队自2008年加入华中科技大学武汉光电国家研究中心（原武汉光电国家实验室（筹））组建以来，一直专注于半导体深紫外发光芯片器件领域的探索研究，近年来在材料外延生长（Advance Function Material, 05445, 2019; Crystengcomm, 21, 4072-4078, 2019; Applied Physics Letters, 114, 042101, 2019），芯片设计（ACS Photonics, 6, 2387-2391, 2019; IEEE Electron Device Letter, 2948952, 2019; Optics Express, 27, A1601-A1604, 2019），器件制备（ACS Applied Material Interfaces, 11, 19623-19630, 2019; IEEE Transaction on Electron Devices, 65, 2498-2503，2018）和新结构新机理探索（Nano Energy, 104181, 2019; Optics Letter, 44, 1944-1947, 2019）等方面展开了系列科学研究，已发表中科院JCR一区论文10篇，获批国家级项目12项（其中国家重点基础研究发展计划973项目课题（含子课题）2项（N0.2010CB923204, 2012CB619302）、国家自然科学基金研究重大专项子课题1项（N0.10990103）、国家重点计划研发课题（含子课题）3项（No. 2018YFB0406602, 2016YFB0400901, 2016YFB0400804），面上基金项目4项(No. 61774065, 60976042, 61675079, 61974174)，青年基金项目2项（No. 51002058, 61704062））。

论文链接：

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsphotonics.9b00882

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285519308882?via%3Dihub

专栏报道链接：

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2019/oct/kaust-301019.shtml

https://compoundsemiconductor.net/article/109321/Integration_Boosts_Deep_UV_LED_Efficiency