根据国家科技部《国家重点实验室专项经费管理办法》和《武汉光电国家研究中心开放基金课题管理办法》的有关规定,武汉光电国家研究中心现公开发布2018年度开放课题申请指南。

一、指南内容

开放课题应紧密围绕光电国家研究中心重点研究方向，研究内容具有创新性。2018年实验室开放课题重点支持以下方向：

1.光电子器件与集成研究方向

针对信息获取、调制、交换、探测、传感等功能的光电子核心器件及关键技术，开展新机理、新结构、新材料、新工艺和新应用等方面的研究，包含但不限于：基于新型半导体材料或超表面等新结构的发光、调制、光场调控、探测和成像等器件研究；面向数据中心、高性能计算和超大容量多维复用场景的关键器件、模块及耦合封装研究；灵活可重构新型硅基光子集成器件及其应用研究；多材料体系及光电混合集成研究等。

2.能源光电子方向

将资助能源转换、存储及利用的相关光电材料与器件方面的研究，包括但不限于：钙钛矿/无机薄膜/有机聚合物半导体光电材料计算及模拟、材料制备及太阳能电池、电致发光器件研究；新型光-热转换、力-电转换、热-电转换等能量转换材料及器件研究；新型能量存储材料及器件；半导体光电器件加工技术；其它新型光电材料结构、性质及器件应用等。

3.生物医学光子学方向

以生命医学关键科学问题为牵引，面向国家在脑计划、肿瘤免疫和临床光电医疗器械等方面的重大需求，开展光电原理、方法与仪器研究。具体包括：脑神经连接的高分辨光学成像、脑空间信息学、免疫光学成像、临床光电医疗器械新技术新方法、医学光学精准诊疗等研究。为重大疾病的基础研究与临床诊疗提供新工具和新知识。

4.激光与太赫兹技术方向

面向激光制造和基础科研领域世界科技前沿、面向我国经济主战场、面向国家重大需求，攻克激光科学与技术领域急待解决的科技问题，包括高性能光纤与光纤激光器，皮秒/飞秒/阿秒等超快激光技术与应用基础等；超强/超快激光和超大功率连续/准连续激光与物质相互作用过程与机理；跨尺度、高效率、高精度激光增材制造及复合增材制造；激光光谱与太赫兹光谱分析；新型太赫兹辐射源等。

5.光电子信息存储技术研究方向

面向大数据存储这一关系到国计民生和国家战略安全的关键基础设施和重大需求，研究新型大数据存储原理、器件和设备，探索新一代大数据存储系统结构与技术，包括：跨越数据存储技术局限的光/磁/电存储机理；基于忆阻器的类脑存储机制及新型非易失存储技术，新型非易失存储器原理与技术；基于NVM的存储体系结构及系统软件；新型固态存储技术；分布式并行存储系统、大规模网络存储、云存储系统与技术；高效的数据组织管理方法和存储资源共享方法；多源异构的大数据信息融合与认知方法等。

二、申请人资格

　　申请人为国内高等学校、科研院所等企事业单位在编员工，具有博士学位或中级以上职称，且在本指南相关领域已积累良好的前期研究基础。

三、申请受理

本年度计划支持开放课题研究期限为2-3年，每项资助额度不超过20万，起始时间为2019年1月1日。

申请者请下载《武汉光电国家研究中心开放课题申请书》，按规定格式认真、如实填写（形式和资格审查未通过者不能进入专家评审）。申请人签名并经所在单位同意加盖单位公章后，请于2019年1月5日前将申请书通过EMS快递至武汉光电国家研究中心办公室（一式三份，正反打印），同时提交申请书word版至邮箱chenzm@mail.hust.edu.cn。以邮件收到为准，逾期不予受理。

　　申请的课题由武汉光电国家研究中心审查，并由学术评议委员会审议批准，评审结果将于2019年1月15日之前反馈给申请人。

四、其它事项

项目申请、经费使用、成果管理等需遵守《武汉光电国家研究中心开放基金课题管理办法》的规定。

五、联系方式

　　联系人： 陈智敏

　　联系电话：027-87792517

通讯地址： 武汉市珞喻路1037号武汉光电国家研究中心办公室D506

　　邮政编码：430074

附件：《武汉光电国家研究中心开放基金课题管理办法》

武汉光电国家研究中心开放基金课题申请书

武汉光电国家研究中心开放基金课题管理办法

2018开放课题申请书