根据《华中科技大学科技人员取得职务科技成果转化现金奖励信息公示办法》，现对我校武汉光电国家研究中心夏金松团队的“薄膜铌酸锂电光调制芯片设计与制备方法”职务科技成果转化现金奖励相关信息公示如下:

一、成果转化信息

成果名称：薄膜铌酸锂电光调制芯片设计与制备方法

成果明细：

1.发明专利：一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器

专利号：ZL202110890825.5

2.发明专利：一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法

专利号：ZL201911279183.4

3.发明专利：一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器

专利号：ZL202111255234.7

4.发明专利：基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片

专利号：ZL202310746818.7

转化方式：转让

转化收入：497100元

取得时间：2024年5月

二、现金奖励信息

三、技术合同登记信息

技术合同登记机构：华中科技大学技术合同登记站

技术合同编号：2024420618000254

技术合同项目名称：一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器等专利

特此公示，公示期15个工作日，自2024年5月23日起至2024年6月13日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：杨老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年5月23日