根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心牛广达老师团队的“钙钛矿X射线探测器”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含7项知识产权：

（1）发明专利：一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用

发明人：牛广达，唐江，潘伟程，杨波

专利号：ZL201910847897.4

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。

（2）发明专利：一种用于高能射线探测的铅基卤素钙钛矿膜的制备方法

发明人：牛广达，张慕懿，唐江，李森，邓贞宙

专利号：ZL201910227886.6

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料，同时采用同源多分共蒸的方法，可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜，该方法操作简单，制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好，可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。

（3）发明专利：一种有机热激子闪烁体材料、制品及性能测试方法

发明人：牛广达，唐江，杜鑫源，赵杉，巫皓迪

专利号：ZL202310982239.2

专利权人：华中科技大学

简介：本发明涉及一种有机热激子闪烁体材料及制品、制品及性能测试方法，该有机热激子闪烁体材料在射线光子作用时，至少一个高能级能级差的绝对值小于三线态能级差的绝对值，实现热激子从任意高能级三线态通过高能级三线态快速反系间穿越跃迁到任意能级单线态，同时抑制高能级三线态弛豫到低能级三线态，使得热激子完全从单线态跃迁到基态并发射闪烁光；该有机热激子闪烁体材料至少包含四‑(4‑溴苯)乙烯或1, 1, 2, 2‑四(3'‑溴‑[1, 1'‑联苯]‑4‑基)乙烯。同时，对本发明的有机闪烁体材料的性能进行测试，得出该有机闪烁体材料发光寿命短和高光产额的优点。

（4）发明专利：用交流电抑制钙钛矿光电探测器电流漂移的方法及器件

发明人：牛广达，杜鑫源，巫皓迪，唐江，潘伟程，邓贞宙

专利号：ZL201910278177.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种用交流电抑制钙钛矿光电探测器电流漂移的方法及器件，其中的方法具体是通过将向钙钛矿光电探测器中钙钛矿功能层两端施加的偏压控制为交流电，利用该交流电减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，从而抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移。相应的器件包括用于最终向钙钛矿功能层两端施加交流电的交流电源，该交流电作为钙钛矿功能层偏压，减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，能够抑制该器件工作时的电流漂移。本发明通过控制钙钛矿光电探测器工作时所加的偏压为交流电，利用交流电将减弱离子迁移现象，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移问题。

（5）发明专利：卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法

发明人：牛广达，唐江，潘伟程，夏梦玲，罗家俊

专利号：ZL202011328007.8

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。

（6）发明专利：可同时探测γ射线和快中子的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体及其制备

发明人：牛广达，唐江，谢作想，夏梦玲，王瀚琪

专利号：ZL202111399450.9

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了一种可同时探测γ射线和快中子的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体及其制备，该有机无机杂化钙钛矿闪烁体材料的化学式为A2PbBr4或A2PbBr4‑xClx，其中A为质子化的苯乙胺(PEA)离子、质子化的苯并咪唑(BI)离子或质子化的丁胺(BA)离子，x为0～0.8，能够应用于探测快中子、或同时探测γ射线和快中子。本发明通过采用特定元素组成的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体材料，该材料同时含有大量氢原子与重原子，使得在γ射线或快中子激发下，该材料均有较高的光产额和快的衰减，闪烁体性能优异，尤其可用于同时探测γ射线和快中子。

（7）发明专利：一种化合物作为闪烁体材料的应用及其制备方法

发明人：牛广达，唐江，尹力骁，杨颖，杨波，邓贞宙

专利号：ZL201910232767.X

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于高性能闪烁体材料及高能射线探测领域，公开了一种化合物作为闪烁体材料的应用及其制备方法，该化合物满足化学通式AB2X3，其中，A代表一价碱金属阳离子，B代表一价过渡金属阳离子，X代表一价卤素阴离子。制备方法具体是以摩尔比满足1:2的AX和BX为原料，基于反溶剂析晶法、降温析晶法、熔盐混合法或提拉法制备得到化学通式满足AB2X3的化合物。本发明通过对化合物的组分进行调控，得到化学通式满足AB2X3的新型的闪烁体材料，该闪烁体材料具有无毒、稳定、制备方法简单、光产额高的特点。作为一种新型的闪烁体，本发明公开的材料在高能探测领域拥有巨大的潜力，展示出大规模工业化生产的应用前景。

二、拟交易价格

普通许可：445万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与杭州领挚科技有限公司协商，双方同意以445万元实施普通许可，许可期限为5年。

特此公示，公示期15日，自2024年12月5日起至2024年12月19日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年12月5日