闪存芯片发展到一定容量很难提高。昨日，从首届光子与光电子学会议获悉，武汉光电国家实验室（筹）已在实验中，成功研制出一种新的芯片技术--相变随机存储器。

据了解，光谷最大的芯片生产商，武汉新芯集成电路制造有限公司表示，将在该技术成熟后投入2000万元进行产业化。

武汉国家实验室（筹）副主任谢长生介绍，现有闪存芯片技术，在达到30纳米技术后，由于其密度过高，将导致发热过多，漏电增大，很难再提高。而'相变随机存储器'能克服这些弊端，提高容量，且读写速度更快。目前，国内已有多个研发机构开展该项研究。

据介绍，该实验室（筹）研发的该技术，由从新加坡引进的专家缪向水负责。目前，该技术已攻破单元技术，原理上可以工作了，但需要在工艺上进一步产业化。