9月5日至8日，第20届中国国际光电博览会(CIOE2018)在深圳会展中心举办。武汉光电国家研究中心、武汉光电工研院联合参展，并于9月6日在光电子创新馆（4号馆）4E06展位举办“源头创新技术和科技成果转化项目发布会”。华中科技大学副校长张新亮，武汉光电国家研究中心副主任周军、朱䒟莅临展位视察指导工作。
>
在项目发布会上，武汉光电国家研究中心副主任周军教授以“与光同行·闪耀梦想”为主题，作研究中心整体情况宣讲和海内外英才招募，光电工研院副总经理孙文娟详细讲解了“光电产业科技服务提供商”的服务体系。活动现场发布了一批“会卡脖子”的技术项目，吸引了千余名专业观众到场聆听和多家上下游企业参与对接。
源头创新，核心技术“不化缘”
作为科技部正式批复组建的六个国家研究中心之一，武汉光电国家研究中心定位于开展前瞻性、战略性、前沿性学科交叉基础研究，光电工研院以此为依托，为科技成果转化提供全链条服务，推动了一系列重大原创成果的转化和产业化。
活动当天，超衍射极限纳米光刻技术、激光探针元素分析仪、新型半导体光电子器件、百赫兹超窄线宽外腔半导体激光器、全数字PET技术及产业化、OLED超纯有机发光材料、高端LED芯片、高亮度UVC—LED、显微光学切片断层成像系统等源头创新及成果转化项目负责人亲临展会现场开展了宣讲——
制造芯片的光刻机，其精度决定了芯片性能的上限，然而作为芯片消费第一大国，我国在光刻技术方面远远落后于国外，如何开发具有自主知识产权的光刻机，向来是集成电路光刻制造领域的焦点话题。由武汉光电国家研究中心甘棕松教授团队带来的“超衍射极限纳米光刻技术”甫一亮相，立即引来广泛关注。
该团队具有自主知识产权的首台商用化超分辨光刻设备——Super Lithography 3D纳米光刻系统提供纳米级高精度的无掩膜光刻和纳米级3D微纳结构打印，配合定制的软件系统，可以智能完成高精度光刻掩膜的制造和其它纳米级3D器件的激光直写光刻，打破了国外企业在三维微纳加工技术的垄断。
在芯片领域，我国低速的光芯片和电芯片已实现国产，但高速的仍全部依赖进口。武汉光电国家研究中心国伟华教授团队“新型半导体光电子器件”项目的第一代产品——具有自主知识产权的大范围波长可调谐半导体激光器，主要用于长距离光通信，填补了国内在可调谐半导体激光器光芯片方面的空白，性能达到了国际先进水平；25G高速直调制DFB激光器主要用于中短距离光通信和数据中心，具有制作简单的优势，性能达到了国内领先水平，有望打破25G DFB激光器完全依赖进口的局面。
当前国内在相干通信、相干激光雷达、相干光纤传感三大领域均采用国外窄线宽激光器，武汉光电国家研究中心夏金松教授团队自主研发的百赫兹超窄线宽外腔半导体激光器具有更长距离、精度更高、功率更大的优势，目前已成为国内通信巨头的供应商。
针对我国新型显示领域上游关键材料长期被国外垄断的问题，由光电工研院承接武汉光电国家研究中心成果转化项目，并进行孵化的武汉尚赛光电科技有限公司，自主研发和生产用于制作柔性OLED面板的半导体发光材料，其发光效率、光色、材料寿命均达到世界先进水平，且价格远低于国外同类产品。
此外，谢庆国教授团队研发出的全球首台临床全数字PET/CT装备，解决了传统PET四十余年来一直存在的超高速闪烁信号数字化难题，且能更早更精准地发现包括肿瘤在内的各种病灶；郭连波教授团队在国内首次将激光探针技术从实验室研究推向工程化应用；光电工研院孵化企业武汉沃亿生物成为全球能做大脑生物组织三维成像设备的三家公司之一。
官方微信
