10月10-21日，应武汉光电实验室的邀请，爱尔兰都柏林城市大学网络与通信研究所所长Liam Barry教授访问了武汉光电国家实验室。Liam Barry教授主要从事光通信中信号的产生、传输及探测的前沿技术研究，涉及超短脉冲产生与传输、调谐半导体激光器应用、全光切换与采样以及RoF技术等多个方面。他的研究多次获得爱尔兰基金委和欧盟技术委员会的资助，其中两次获得爱尔兰基金委重点资助的SFI Investigator。他已发表的论文超过200篇（其中核心期刊90篇，前沿会议137篇），还参与两本著作的编著。近年来，先后在重要国际会议上作特邀报告15次，历任三大国际光纤通信及光电子会议技术委员会委员(OFC,ECOC和CLEO-Europe/EQEC), 并两次担任CLEO-Europe/EQEC光纤通信分会主席。现为IEEE高级会员。

Liam Barry教授的此次访问是在教育部“ 111”计划支持下的工作访问。访问期间，华中科技大学副校长、武汉光电国家实验室常务副主任骆清铭及华中科技大学校长助理、武汉光电国家实验室总支书记林林亲切会见L. Barry教授，希望通过他的访问加强华中科技大学与都柏林城市大学的校际合作，并以此为基础开展与爱尔兰大学光电子研究领域的接触与交流。

访问期间，Liam Barry教授做了关于RoF通信系统、全光信号处理、面向WDM应用的调谐半导体激光器、相干光通信技术以及新颖单模激光器五个专题报告；报告从基本概念和原理出发，深入浅出地讲解了自己所从事的这些前沿性研究专题，受到与会老师和学生的好评。

访问期间，Liam Barry教授与余永林教授就可调谐半导体激光器方面的研究问题进行了广泛的学术交流。目前双方联合培养博士一名，已合作发表高水平论文三篇。Liam Barry教授还深入到实验室，与正在开展的实验研究的博士生、硕士生进行交谈，对实验中的技术难点提出了指导性意见。此外，Liam Barry教授还与张新亮教授就共同关心的问题进行了学术讨论。

访问结束前， Liam Barry教授欣然接受了华中科技大学客座教授的聘请，并表示他将进一步加强与华中科技大学、武汉光电国家实验室的交流与合作。