2012年9月13日上午9:00,“ 武汉光电论坛”系列讲座第66期在武汉光电国家实验室(筹)A101会议室举行。OSA 会士、美国中佛罗里达大学(University of Central Florida, UCF)光学和光子学学院教授、大学课程体系(Academic Programs)的副院长、美国光学学会(OSA)杂志“ Optical Materials Express”的主编David Hagan教授为广大师生作了一场题为“ Extremely nondegenerate nonlinear optics for IR detection(用于红外探测的极度非简并非线性光学)”的精彩报告。华中科技大学光学与电子信息学院院长张新亮教授主持本次论坛。报告会之前,华中科技大学副校长骆清铭教授为Hagan教授颁发了第66期“ 武汉光电论坛”纪念盘,来自武汉光电国家实验室和各院系百余名师生参加了此次论坛。
Hagan教授首先介绍了中佛罗里达大学光学与激光研究教育中心(CREOL)的人员组成和发展概况,表达了良好的交流愿景。
接着, Hagan教授引出了非线性折射和双光子吸收的概念,论述了非简并双光子的吸收和增强效应,证明了在输入波长迥异的高度非简并情况下,双光子吸收率较简并状态会有大幅提升。他们发现在许多直接跃迁半导体中,非简并双光子吸收率较简并情况下可增强约100倍,因此可以利用传统的半导体光电二极管获得敏感的选通探测。
Hagan教授还比较了GaN和GaAs光电二极管中的极度非简并探测的不同,由飞秒和皮秒脉冲下的泵浦探测传输实验拓展到长脉冲下的情况,介绍了基于非简并双光子吸收的光电二极管如何完成连续波下的红外探测,最后讨论了探测器噪声及其结构优化,并认为极度非简并下的双光子吸收为新型中红外源的研制提供了新的思路。
Hagan教授报告结束后,回答了众多教师和学生的问题,会场气氛热烈、融洽。本次论坛持续一个多小时,最后在热烈的掌声中圆满结束。
论坛结束后,骆校长与Hagan教授深入讨论了武汉光电国家实验室与中佛罗里达大学光学与激光研究教育中心的进一步合作计划。
Hagan教授此行还参观了武汉光电国家实验室、国家脉冲强磁场科学中心、华工科技、生物谷、未来科技城等项目。
(责任编辑:施华)