2013年11月3至12日，美国贝尔实验室章力民博士应OEDI功能实验室主任张新亮教授的邀请访问武汉光电国家实验室，与OEDI功能实验室的教授和学生就光子集成、InP基器件及工艺和书写科技论文等共同关心的领域和问题进行了深入的学术交流，并亲自进入工艺间指导并参与器件制作。

章力民博士，1990年博士毕业于英国Strathclyde大学电子工程系，1990年到1993年，在英国剑桥大学担任研究助理，从事长波长DFB激光器方面的研究。1993年加入贝尔实验室(Bell Laboratories), Murray Hill, NJ，并在那里设计出了用于CATV的高线性模拟激光器和用于光传输系统的电吸收调制激光器，目前主要的研究方向为：III–V族化合物的MOCVD生长，1.55μm波长的量子点光源，SOA的非线性应用，高速相干光通信发射机和接收机，以及大规模的光子器件集成等。他目前担任国际一流期刊IEEE Photonics Technology letters的副主编，是多个国际顶级会议的主席及组委会成员。

11月3日，在郜定山教授的主持下，章力民博士国家光电实验室的老师和研究生做了书写科技论文的报告。报告中章力民博士以PTL期刊主编和审稿人的角度对实验室某位研究生书写的论文进行点评和修改，该报告详细而有针对性，让在场老师和研究生了解了国际高水平期刊的主编和审稿人是如何确定一篇论文的优劣的，文章中哪些细节是需要注意的，同时该如何表达来使得论文严谨，如何让自己的成果被别人认可等等。整场报告会气氛热烈，报告形式新颖且对师生有吸引力和指导作用。同时在场师生踊跃积极提问，会后还继续向章力民博士请教写作、工艺等等问题。

在访问的9天时间里，章力民博士跟研究InP基器件的老师和同学进行了深入的交流，解答了老师和同学们的问题，并亲自进入工艺间，指导清洗、光刻、电极溅射、MOCVD生长等工艺，对实际器件制作时出现的问题进行了分析解释，并提出解决方法，同时还对具体工艺中一些需要注意的细节给予了强调和提醒。

本次交流的中方人员有：张新亮教授、OEDI老师与研究生。