2013年12月13日，第77期武汉光电论坛在武汉光电国家实验室A101顺利举行。来自北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室的沈波教授为广大师生作了一场题为：“ GaN基半导体新热点：从半导体照明到功率电子器件”的精彩报告。华中科技大学武汉光电国家实验室陈长清教授主持本次论坛。武汉光电国家实验室党总支书记林林博士为沈波教授颁发了第77期“ 武汉光电论坛”纪念牌，来自武汉光电国家实验室、光学与电子信息学院以及全校各院系百余名师生参加了本次论坛。

报告上，沈波教授首先介绍了III族氮化物半导体的特性和主要进展。沈波教授介绍，作为第三代半导体的III族氮化物体系具有全组分可调、全组分直接带隙、强极化、耐高温、抗辐照、可实现低维量子结构的良好特性，是一种重要的光电材料。之后，沈波教授回顾了近20年间III族氮化物的主要进展。他指出，利用III族氮化物材料一方面可以制造用于固态照明的白光LED发光器件，深刻地影响和改变着人们的生活方式，另一方面，也可以用于微波功率放大器的GaN基HEMT等电子器件，这可以被引入高功率相控阵雷达及导弹防御系统，影响着国家安全形势和世界战略格局。沈波教授随后介绍了半导体照明行业的市场和技术发展趋势，以及氮化物基LED照明领域存在的几个关键问题。沈波教授深刻地分析了半导体照明领域的未来发展。他提出，未来半导体照明的发展会从光效驱动转向成本驱动、品质驱动；从蓝光芯片转向绿光和UV芯片；从传统照明转向智能照明；从光学照明转向超越照明。

在介绍完GaN基半导体照明领域后，沈波教授以应用方式的不同，分两部分向师生们介绍了GaN基电子器件的发展。首先，他简述了广泛用于通信领域的GaN基微波功率器件，指出GaN基微波功率器件已取得一系列关键性突破，目前已在军用雷达上应用，不久也将在4G~5G移动通讯基站上大规模应用，目前的工作主要是提升器件的可靠性和高频特性。之后，介绍了GaN基电力电子器件，提出其是当前研发热点，市场巨大，未来产业有可能与半导体照明并驾齐驱。但目前市场刚启动，有一系列关键科学和技术问题有待攻克，生产成本也需大幅降低。

报告会后，沈波教授详细回答了观众的提问，整场报告会气氛热烈，沈波教授的报告，内容丰富，清晰明了，在介绍氮化物器件物理基础的同时，为广大的师生介绍了氮化物半导体领域近20年的发展，让大家对该领域有了一个整体的认识，给广大师生极大的启发。

沈波教授现为北京大学物理学院副院长、宽禁带半导体研究中心副主任。从1995年至今的20年间，沈波教授一直从事III族氮化物（GaN基）宽禁带半导体物理、材料和器件研究，在强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律、GaN基异质结构外延生长和缺陷控制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展，近年在GaN基异质结构二维电子气自旋性质、GaN基量子阱子带跃迁器件等方面取得一系列进展。先后主持和作为核心成员参加了国家“ 863”计划项目、国家“ 973”计划项目、国家自然科学基金重大、重点项目、教育部重大研究计划项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文140多篇，论文被引用超过1000次，先后在国际学术会议上做邀请报告近10次，获国际学术会议“ 最佳论文奖”1次和全国学术会议“ 优秀论文奖”4次，获得/申请国家发明专利11项；多次担任国际学术会议程序委员会委员和组织委员会委员，是APL、JAP等国际学术刊物的特约审稿人；获国家自然科学二等奖（2004年）、国家技术发明三等奖（1999年）、江苏省科技进步一等奖（2003年）和教育部科技进步三等奖（2000年）。