2014年7月6日，俄罗斯莫斯科国立大学物理学院Alexander Shkurinov教授应张希成教授邀请访问武汉光电国家实验室。7月8日Alexander Shkurinov教授和Mikhail Esaulkov博士为激光与太赫兹功能实验室的师生做了题为“ VO2应用于太赫兹领域研究”的学术报告，Alexander Shkurinov教授介绍了他的团队所做的研究工作，并重点讲述了VO2的相变特性，在相对低的温度下呈现绝缘体性质，加热后呈现金属态，其相变温度为68°，并说明了VO2应用于太赫兹领域的可行性。Mikhail Esaulkov博士进一步介绍了他们团队对VO2特性的研究，以及利用VO2薄膜产生THz脉冲的研究成果。
在Alexander Shkurinov教授来实验室之前，Mikhail Esaulkov博士已带了两位在读博士生ArtemSidorov和Petr Solyankin提前来到太赫兹光电子学研究团队与团队师生合作进行实验研究，利用放大级飞秒激光器和VO2薄膜产生太赫兹脉冲，使用ZnTe晶体来探测太赫兹脉冲，研究利用VO2薄膜产生太赫兹脉冲的偏振特性。
Alexander Shkurinov教授师生一行在来访期间与太赫兹光电子学研究团队师生进行了深入交流，根据他们的需求帮助搭建实验平台，对现有的实验系统进行了专业技术指导，分享了各种实验技能和仪器设备的操作经验，并针对现有的实验平台提出了很多有益的建议。
(责任编辑：董炜蔚)
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