备受关注的2014年度诺贝尔物理学奖于2014年10月7日在瑞典斯德哥尔摩揭晓。继承阿尔弗雷德·诺贝尔的精神，本次奖项奖励的是一项对全人类带来巨大益处的发明，2014年诺贝尔物理学奖颁给日本科学家赤崎勇、天野浩以及美籍日裔科学家中村修二，理由是他们发明了节能环保的“ 高亮度蓝色发光二极管”，使推出新型LED灯泡、替代耗能更大的白炽灯成为可能，这一发明引发了照明科技的根本性转变。赤崎勇和天野浩都是日本名城大学的教授，而中村修二则是美国加利福尼亚大学圣塔巴巴拉分校教授。他们将分享800万瑞典克郎（相当于683万元人民币的奖金）。
天野浩，1960年9月11日出生于日本滨松，分别于1983年、1985年和1989年在名古屋大学获得学士、硕士和博士学位。现为日本名城大学、名古屋大学教授。天野浩教授曾在2009年8月受我校武汉光电国家实验室先进半导体材料与器件研究团队邀请，作为我校武汉光电国家实验室举办的国际光子与光电子学会议（POEM）的固态照明与显示技术（SSID）分会的主席，参观访问了我校，并作关于“ 如何利用高质量、导电性可控的GaInN材料制作高效率的光伏器件”的邀请报告，随后接受我校邀请，成为我校顾问客座教授。自2009年以来，我校武汉光电国家实验室先进半导体材料与器件研究团队一直与天野浩教授团队进行保持合作交流工作，合作发表了多篇研究论文，并多次派青年学者前往天野浩教授领导的化合物半导体研究实验室交流，目前双方都正在积极推进半导体紫外UV-LED方面的研究及产业化工作。
（第一排左起第八位为天野浩教授）
天野浩教授与合作的导师赤崎勇（Isamu Akasaki）教授一起自20世纪80年代中期就从事GaN材料的研究，是日本乃至国际上GaN基材料的奠基人，解决了氮化物材料生长、掺杂及器件制作等一系列关键技术，为固态照明作出了重大贡献。在1985年，他发明了低温缓冲层二步法在蓝宝石衬底上生长氮化物材料，为蓝色发光二极管和激光二极管的商业化奠定了材料基础。在1989年，他利用低能电子轰击法首次发现了氮化镓的p型导电性，并在世界首次制备出了p-n结型的GaN发光二极管，从而开启了氮化物半导体的研究热潮，引发了固态照明革命。天野浩教授发表了362多篇文章，合著了14本书，拥有25项专利，他的研究工作已被引用1万多次。 在2006年，他担任了“ 国际氮化物半导体会议”（氮化物半导体研究领域最大的会议）的程序委员会主席。由于研究工作的杰出性，他得到了众多学术大奖，包括：1991年电气学会论文发表奖、 1994年光电子会议特别奖、1996年美国IEEE/LEOS 工程功绩奖、1998年日本应用物理学会奖、1998年英国排名奖、2001年文学术赏奖、2002年武田奖、2003年固体器件与材料会议论文奖、2008年日本结晶成长学会论文奖。2014年10月7日，因发明“ 高亮度蓝色发光二极管”获得2014年的诺贝尔物理学奖。
(责任编辑：肖晓春)
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