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中科院半导体研究所刘峰奇研究员做客第102期光电论坛

来源:武汉光电国家研究中心   作者:  发布时间:2015年10月16日  点击量:

109日,应光电国家实验室夏金松教授邀请,中科院半导体研究所刘峰奇研究员做客武汉光电论坛第一百零二期。为广大师生作了题为“ 量子级联激光器:从中红外到THz”的报告。

刘研究员先从量子级联的概念起,通过回顾量子级联激光器的发展历史,对量子级联激光器进行了简要介绍,并指出量子级联激光器在环境监测、生物医学、空间通信、烟尘分析和红外干扰等重要领域都有广泛的应用。

接着,刘研究员结合自身的研究结果,对量子级联激光器的材料基础、器件工艺和结果范例进行了详细地讲解。他的团队研制出了波长从中红外到THz的一系列量子级联激光器,其中包括在室温下工作功率达到1W、连续工作长达9个月的高性能QCL,第一只中红外量子点QCL和输出功率突破1WTHz-QCL

最后,刘研究员对量子级联激光器的前景进行了思考与展望,指出InP材料比GaAs材料具有更好的热导率和波导限制作用,InP衬底上InGaAs/InAlAs材料体系的THz-QCL性能会更加优越,同时也更具有挑战。

报告结束之后,刘研究员与广大师生展开了热烈的讨论,围绕量子级联激光器和半导体激光器进行了深入交流,大家都表示深受启发,收获颇丰。

(责任编辑:胡晓莺)