2016年3月29日上午，受信息存储与光显示功能实验室教授缪向水邀请，中国科学院微电子所刘明院士做客第110期光电论坛，作了题为《非易失半导体存储器技术》的精彩报告。

　　刘明在报告首先介绍了现阶段国际及中国存储器产业的发展现状和所面临的挑战，然后着重介绍了非易失存储器的学术研究态势，以及中科院微电子所在该领域的研究进展。非易失存储器是集成电路核心技术之一，广泛应用于消费电子、航空航天等电子信息系统之中，有着巨大的市场。目前主流的非易失存储技术——基于浮栅结构的“闪存（Flash）”，尺寸微缩已接近其物理极限，其存储密度和性能难以继续提高来满足大数据时代对信息存储和处理的需求。阻变随机存储器（RRAM）是可在电脉冲作用下实现非易失性阻变的新型存储器件，具有高速、低功耗、结构简单、易于与CMOS工艺集成、密度高等优势，是下一代半导体存储器的重要候选技术。近年来，刘院士团队在阻变存储器机理及其可靠性，器件电学模型、器件性能优化、大规模集成及产业化推动方面做了一系列系统工作，尤其是在透射电子显微镜原位观测阻变过程中导电丝的演变过程、ZrOx等氧化物阻变材料、纳米晶嵌入结构、存储单元选通技术、大规模集成工艺和技术方面，成果卓著。最后，刘明就国家存储器基地落户武汉及其与华中科技大学微电子学科的协同发展和相互促进，进行了评述和建议。

　　缪向水主持了本次报告会，实验室主任叶朝辉院士为刘明颁发了第110期武汉光电论坛纪念牌，常务副主任骆清铭、副主任谢长生、张新亮、周军以及来自光电国家实验室、光电学院、材料学院、计算机学院、自动化学院等院系的师生聆听了本次报告。

　　刘明是中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员，从事微电子科学与技术的研究，研究兴趣主要是存储器机理模型、材料结构、核心共性技术和芯片集成等。她是973项目首席科学家、国家杰出青年基金获得者和基金委创新群体负责人。担任“Applied Physics A”的编辑、《中国科学》编委、Scientific Reports的编委会委员等。