2016年12月15日下午15:00-17:00，上海技术物理研究所胡伟达研究员做客青年学术沙龙，为广大师生作了题为“新型二维材料红外探测器”的精彩报告。

在本次报告中胡伟达研究员综述了近几年来中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达课题组在新型二维材料（2D material Schottky, 2D material/1D nanowire hybrid, 2D material heterojunction, 2D material pn junction）红外探测器机理、研制、红外成像方面的进展。近几年来国际前沿最热门的材料之一的二维材料具有宽波段响应、室温工作、高增益、响应速度快等诸多优异特性，胡伟达研究员着重介绍了基于二维碲镉汞（HgCdTe）材料的红外探测器在常温应用领域的最新进展，同时，展望了二维材料红外探测器面临的机遇与挑战。

达研究员现工作于中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室。国家“万人计划”青年拔尖人才、国家基金委优秀青年基金（优青）项目、上海市青年科技启明星人才计划、中科院“卓青”获得者。Infrared Physics & Technology（Elsevier，SCI）副编辑、Optical and Quantum Electronics（Springer，SCI）执行主编、美国SPIE DCS Defense and Security - Infrared Technology and Applications XLII国际会议程序委员、NUSOD国际会议程序委员。主要从事红外光电探测器的机理、研制和空间应用研究。第一、通讯作者在Advanced Materials、Nano Letter、ACS Nano、Advanced Functional Materials、Small、Optics Letters、IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics、Applied Physics Letters等国际SCI期刊共发表论文60余篇，其中，ESI高引论文6篇，ESI热点论文1篇。应邀在Small和IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics期刊上撰写邀请综述。授权中国发明专利17项。

光电国家实验室各功能实验室的师生倾听了本次报告，并与胡伟达研究员进行了积极的交流讨论。