相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器，其具以下显著的优点：非易失性、位可修改、读延迟短、读能耗低、无需刷新等。PCM对比DRAM而言能耗更低，同时其非易失性和比较高的存储密度也使得它成为理想的内存替代品。相变存储器的这些优势引起了国内外研究者的极大兴趣。然而PCM也有诸多缺陷，特别是在写性能、写功耗和寿命等方面，这些都是非易失性存储器件研究领域的重点和关键问题。

信息存储与光显示功能实验室博士生李铮等人在王芳教授的指导下，提出了一种新颖的相变存储器写方案来解决相变存储器写入性能较慢的问题，称为MaxPB。李铮等人通过对现有多核多线程应用负载的分析，发现相变存储器芯片每次写入对于所提供的能耗利用率很低，存在严重的能耗浪费，限制了写入的并行性，影响了芯片写入性能。MaxPB通过高效、低开销的写入合并策略，在能耗预算的限制下更多的数据可以放入一个写单元中来减少串行执行的写单元数目从而提升性能。通过大量实验测试和分析表明，相关研究方法在系统读写延迟，应用执行时间以及系统整体能耗方面显著优于现有的相变存储器写方法。

2017年，该研究成果以论文“MaxPB : Accelerating PCM Write by Maximizing the Power Budget Utilization”发表在计算机系统结构领域重要期刊ACM Transactions on Architecture and Code Optimization (TACO)中，并且受邀在瑞典斯德哥尔摩举办的第十二届HiPEAC‘2017国际会议上做口头报告。HiPEAC会议是是欧洲计算机系统结构和编译优化领域最高等级和最大规模的会议之一。

该研究得到了国家高技术研究发展计划863项目（No.2015AA015301, No.2013AA013203, No.2015AA016701），国家自然科学基金项目（No. 61303046, No.61472153, and No.61173043）等的支持。

提出的相变存储器写方法的示意图以及主要测试结果

全文链接：http://dl.acm.org/citation.cfm?id=3012007