报告题目：铌酸锂光子芯片

时 间：2020年11月12日14:00-16:00

报告 人：程亚 教授，华东师范大学/上海光机所

邀 请人：陆培祥教授、熊伟教授，华中科技大学

地 点：武汉光电国家研究中心老楼A101

报告人简介：

程亚，1993年复旦大学获学士学位，1998年上海光机所获博士学位。华东师范大学教授、上海光机所研究员。曾任科技部973计划项目首席科学家，现为国家重点研发计划项目首席科学家。获国家杰出青年科学基金，入选国家高层次人才特殊支持计划领军人才、上海领军人才，英国物理学会会士等。发表SCI论文200余篇，Web of Science核心数据库中他引6000余次，当前H因子46。出版科学出版社中文专著1部，合作出版Springer出版社、Pan Stanford出版社等英文专著共4部。获得6项美国授权专利及多项国家发明专利。应邀做国际会议大会报告及邀请报告共100余次。

报告摘要：

光子芯片的概念早在1969年即由贝尔实验室的米勒教授所提出。半个世纪以来，光子芯片的发展远远滞后于电子芯片发展。一方面这是由于光子集成技术所固有的内在困难，同时很大程度上也归因于光子芯片在很长一段时间缺乏大规模的应用牵引。近年来，随着5G/6G、云计算与存储、大数据、量子信息、万物互联等变革性应用领域的兴起，光子集成技术成为突破电子信息处理能力瓶颈的首选途径。铌酸锂是性能优越的光子学材料，被誉为光子学的硅。我们报告如何实现低损耗铌酸锂光子回路与器件，并用于非线性光物理和高速光信息处理研究。

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