多型体界面即材料成分相同，而沿生长方向由原子层的堆垛次序的略微变化导致的不同结构所形成的界面。这种多型体结构的可控生长所成的界面结构可以引导异种电荷在材料中重新分布，具有潜在的光电应用价值。
武汉光电国家实验室李露颖博士领导的研究组联合武汉大学和亚利桑那州立大学相关研究小组对纳米棒中的多型体界面进行了深入研究。采用离轴电子全息技术（off-axis electron holography）获得了纳米尺度的自发极化场分布，而球差校正的高角环形暗场像（probe-corrected high-angle annular-dark-field imaging）技术的运用，使得原子尺度的自发极化强度及其受界面应力影响的变化被精确测定。有关多型体界面受应力作用的自发极化强度的研究，对于半导体纳米材料中电荷的有效裁剪具有重要的指导意义，有利于更好调控电荷分布过程，并为未来器件研究提供新的可能。评审认为该工作很好的展示了现代像差校正电镜研究所能达到的高度。
这项研究发表于Advanced Materials杂志（Adv. Mater 26, 1052-1057 (2014)），并被Nature Physics杂志选为研究亮点，在其2013年12月期刊进行了图片及文字报道，被Nature Physics编辑Bart Verberck评价为结构-性能相关研究的典范。该工作得到了国家自然科学基金（51371085, 11304106），教育部博士点基金（20120142120059），华中科技大学自主创新基金（2012QN107），留学回国人员启动基金的支持。

砷化铟纳米棒中包含多型体结构的原子分辨率高角环形暗场像，其中黄色背底标示的纤锌矿结构由于其非中心对称结构而产生原子尺度的自发极化效应