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武汉光电论坛第189期:压强诱导发光

来源:   作者:  发布时间:2023年08月23日  点击量:

报告题目:压强诱导发光

时间:2023年8月25日10:00-11:30

报告人:邹勃教授,吉林大学

邀请人:屠国力教授,华中科技大学

地点:华中科技大学新光电信息大楼C111

报告人简介:

邹勃,吉林大学物理学院院长,长江学者特聘教授,国家杰出青年科学基金获得者。2002年博士毕业于吉林大学化学学院。2001年-2002年,德国明斯特大学物理所做联合培养博士研究生;2003年-2005年在德国多特蒙德大学化学系做博士后研究。主要研究方向是高压化学。在Nature Commun,J Am Chem Soc和Angew Chem Int Ed等刊物发表SCI论文400余篇

报告摘要:

传统的三维卤素钙钛矿材料的荧光强度仍然随着压力的升高而减弱,但少数低维卤素钙钛矿材料的荧光强度随着压力的升高而增强。卤素钙钛矿材料的维度越低,越容易产生自陷态激子。由于常压下电声子耦合强度弱,去自陷活化能低,大量自陷态激子很容易去自陷再次转变为自由激子而不能向基态辐射跃迁。我们利用压力来调控低维卤素钙钛矿材料中八面体骨架的扭曲程度,进而改善内部激子自陷态发光行为,在零维卤素钙钛矿材料 Cs4PbBr6 体系、一维有机无机杂化卤素钙钛矿材料C4N2H14SnBr4体系和二维卤素双钙钛矿 (C4H12N)4AgBiBr8体系中,发现压力诱导发光现象。并在此基础上,我们提出了通过高压解决常压争论的学术设想,解决了Cs4PbBr6纳米晶绿光起源和Cs2Na0.4Ag0.6InCl6蓝光起源的争论。然而,高压可逆性极大地阻碍了这类材料的实际应用,我们提出通过构筑空间位阻提高相变势垒,将(C8H12N)2PbCl4、(C5H7N2)2ZnBr4和(C10H22N)2MnBr4亮发光相截获至常压,为制备具有特定功能的化学材料提供了新思路和新方法


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