2009年3月2日，应实验室微光机电系统研究部的邀请，香港应用科学研究院的袁述博士为实验室师生做题为《GaN半导体器件的发展概况》的学术报告。

袁博士首先从照明市场和制作光电器件的材料做了概括性的介绍；随后就GaN及GaN相关材料的优势和所存在的问题、GaN外延的生长方式及形成、GaN中的极化效应、LED芯片的发光机制、白光LED和功率型LED的现状、芯片 的droop现象以及 LED的制作工艺等方面进行详细的阐述。

袁述博士是香港应用科学研究院（Hong Kong Applied Science and Research Institute,ASTRI）LED/材料和封装技术部LED器件组的主管。在美国Oklahoma大学和澳大利亚国立大学从事博士后研究。在化合物半导体领域，尤其是低维量子结构和光电器件方面有20多年的研究经验并取得了一定成绩。