2009年10月14日，“ 光电论坛”系列讲座第二十八期在武汉光电国家实验室A101会议室举行。德国斯图加特大学半导体研究所所长Erich Kasper教授为广大师生作了一场题为《基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战》的精彩报告。武汉光电国家实验室主任助理张新亮教授主持了本次论坛，来自光电子学院、武汉光电国家实验室和校内各院系的200余名师生参加了本次论坛。报告之前，武汉光电国家实验室常务副主任骆清铭教授为Kasper教授颁发了华中科技大学兼职教授的荣誉证书。

Kasper教授首先以现代芯片产业的应用和需求为例，介绍了以硅材料为基础的现代微电子工业极大推动了人类社会的发展，使得信息交流方式发生了革命性变化。随着光交换技术的发展，广域网之间的连接可以实现更高的流量和更低的成本。同时可以实现在硅基上探测器的集成，以及制造芯片时钟，最终提高器件之间的光耦合效率。

Kasper教授接着介绍了一些器件方面的知识，详细介绍了硅基拉曼连续激光器的结构，SOI脊波导和条形波导的结构以及工作特性，马赫-泽德调制器，环形调制器等结构。最后提出了CMOS光子学以及片上集成硅光子学的理念，即在SOI芯片上实现激光器，调制器，波导结构，光探测器等，从而实现CMOS光子器件集成。

Kasper教授通过比较常用半导体，SiGe半导体和掺锗半导体的吸收损耗来说明Si/Ge半导体结构的优越性，并比较了拉伸应力对器件带宽的影响。通过量子阱、晶格失配、n型注入等方法调节Si/Ge材料特性，提高器件的响应速率。实验结果证明，锗硅型探测器的响应速率可以达到40Gbit/s。

Kasper教授报告结束后，回答了众多教师和学生的问题，会场气氛热烈、融洽。本次论坛持续一个小时，最后在热烈的掌声中圆满结束。

报告人简介：

Erich Kasper教授，现任德国斯图加特大学半导体研究所所长，教授，博士生导师。他于1971年在奥地利格拉茨大学获得博士学位，曾担任德国 Telefunken, AEG 和 Daimler-Benz实验室的科学家，他的主要研究课题是基于x射线和电子显微镜的固态分析以及基于分子束外延的材料合成和微波半导体器件。自1987年以来，他一直负责Daimler-Benz的“ 新型硅设备和技术”的研究，主要工作重点在SiGe/Si异质结快速相应晶体管（异质结双极晶体管，调制掺杂场效应晶体管）和超薄型超晶格光电收发器。自1993年以来，Erich Kasper教授一直担任德国斯图加特大学半导体研究所所长，长期致力于硅基光电子学、硅基纳电子学、毫米波电路集成和SiGe/Si 量子阱器件研究工作，具有很高的国际声望，他编写有两本专著和发表了近百篇论文。