2010年8月10日，应纳米能源技术与功能纳米器件团队沈国震教授的邀请，日本国立材料研究所曾海波博士访问了武汉光电国家实验室。曾博士2006年获中国科学院固体物理研究所博士学位，其后分别任该所助理研究员，副研究员。2008年至今分别任日本国立材料研究所研究助理以及日本学术振兴学会特別研究员。曾博士的研究兴趣包括纳米颗粒的液相激光烧蚀生长、亚稳结构与新颖物性；宽带隙半导体纳米结构：掺杂与合金化电子结构调控，深紫外光电性质与器件；原子级厚二维晶体：可控构筑、光电性质、纳米器件与复合材料应用；以及纳米材料在能量转换与存储方面的应用等。曾海波博士在Advanced Materials, ACS Nano等国际顶尖刊物发表多篇高水平学术论文。

10日上午，曾博士为广大师生做了题为《白石墨烯－原子厚度的氮化硼纳米带：合成及电学性能研究》的学术报告。2004年，英国曼彻斯特大学的安德烈·K·海姆等制备出了石墨烯。石墨烯指的是具有单层或少数几层的石墨结构，它的问世引起了全世界的研究热潮。它不仅是已知材料中最薄的一种，还非常牢固坚硬；作为单质，它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。而曾博士在工作中另辟蹊径，采用物理方法处理和石墨具有类似结构的氮化硼纳米管，通过对纳米管的剥离，得到了导电性能非常优异的单层及几层的氮化硼纳米带。他将其命名为白石墨烯。这项工作的开展，带动了一个新兴的研究领域――类石墨烯半导体材料。曾博士说，如果采用合成的物理或化学方法，很多具有层状结构的半导体材料都可以形成类似石墨烯的结构。而这些材料的实现，将会引起人们对这些材料的性能的研究，从而有望带动相关学科的发展。

曾博士的报告深入浅出，讲解透彻，赢得了在场同学们的阵阵掌声。报告结束后，曾博士一一解答了同学们的问题，并兴致勃勃地参观了武汉光电国家实验室纳米能源技术与功能纳米器件中心，与实验室老师就相关科研问题进行了深入的探讨。