2013年4月19日下午4点，第73期武汉光电论坛在武汉光电国家实验室A101顺利举行。本次论坛的主讲人为法国国家科学研究院Jean-Louis OUDAR博士，报告题目为“ Vertical-cavity-based short pulse source operating at telecommunication wavelengths”，武汉光电国家实验室光电子器件与集成功能实验室书记孙军强教授主持了本期论坛，武汉光电国家实验室党总支副书记詹建出席，并为Jean-Louis OUDAR教授颁发了武汉光电国家实验室光电论坛纪念礼品。法国驻武汉总领事馆科技专员博亚先生、科技处助理李珊珊女士、法国国家科研中心微结构和微电子实验室主任研究员、华工科技首席科学家、华中科技大学客座教授王肇中博士出席了报告会。
Jean-Louis Oudar 1971毕业于巴黎综合理工学院(Ecole Polytechnique)，1977年在巴黎大学获得物理学博士学位。博士毕业进入法国国家电信研究院(CNET)从事凝聚态中的光学非线性现象：增强有机化合物中光学非线性，创立了国际前沿的非线性有机材料的分子工程生长工艺。1979年作为访问科学家于加州伯克利大学物理部从事基于四波混频的非线性光谱学新技术。在法国国家电信研究院(CNET)和法国电信研发中心，Jean-Louis开展III-V族半导体微结构中的超快动态非线性效应，微腔量子光学，以及光学双稳态和光开关器件开发。自从2000年，加入法国国家科学研究中心光子学与纳米结构实验室(CNRS-LPN)，目前担任电信应用中光子学器件研究小组（PHOTEL）的研究主任，承担多项法国和国际合作项目。从事纳米光子学器件-超快饱和吸收体在全光再生中的应用，微流系统中半导体光源，1.55微米垂直腔表面发射激光器锁模产生超短窄脉冲研究。
报告会上，在简单介绍了法国国家科学院的基本情况后，Jean-Louis Oudar教授对用于通信波段的短脉冲源的发展历史及研究现状进行了回顾，比较了光纤激光器、边缘发射激光器、固体激光器和垂直外腔表面激光器VECSEL等不同方案的优缺点和应用场合。然后，Jean-Louis Oudar教授从最基本的被动锁模原理出发，深入浅出介绍了基于VECSEL的超短脉冲源产生方案，并且对器件的设计、工艺制作过程和器件特性表征等进行了详细的讲解。最后，他还对CNRS-LPN在此方面的特色与创新工作进行了深入介绍，展示了最新的实验结果。
报告会后，Jean-Louis Oudar教授详细回答了观众的提问，整场报告会气氛热烈，内容丰富新颖且引人入胜，语言风趣幽默，给广大师生极大的启发。会议结束后，老师同学们继续同Oudar教授进行了良好互动交流。
(责任编辑：施华)
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