2014年3月27日，第78期武汉光电论坛在武汉光电国家实验室A101顺利举行。日本神户大学教授、日本学术振兴会（JSPS）北京代表处所长和田修（Osamu Wada）教授为广大师生作了一场题为“ Semiconductor Nanostructure-Based Photonic Devices for Ultrafast, Power-Efficient Systems（用于超快、高效系统的半导体纳米结构光子器件）”的精彩报告。华中科技大学光学与电子信息学院院长、武汉光电国家实验室光电子器件与集成功能实验室主任张新亮教授主持本次论坛。副校长、光电国家实验室常务副主任骆清铭教授为和田修教授颁发了第78期“ 武汉光电论坛”纪念牌。来自光电国家实验室、光学与电子信息学院以及全校各院系百余名师生参加了本次论坛。

报告上，和田修教授首先介绍了光开关器件的目标要求和量子点SOA如何克服偏振敏感。和田修教授介绍，随着人们信息需求量的不断增大和数据大爆炸时代的到来，要求应运而生的光开关器件达到超快和高电源效率的要求。随后，和田修教授介绍了量子点SOA的结构和性能，并表示量子点SOA的速率可达40 Gb/s以上且带宽大于110 nm。和田修教授提出，采用应变控制可以克服偏振敏感，达到偏振相关性低于0.5 dB。随后，和田修教授又介绍了基于量子点的垂直腔结构的光开关的特性。他提出在垂直腔内采用量子点结构可以降低转换能量，而且结构紧凑易于集成。最后，在现场提问环节，和田修教授详细解答了观众的提问，整个会场气氛热烈。

和田修教授的报告，内容丰富，深入浅出，层次分明，首先对未来系统光子器件的关键问题进行综述，再对半导体纳米结构，特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行讨论，给予了广大师生很大的启发。

和田修教授于1969年在日本Himeji技术研究所获得学士学位，1971年在日本神户大学获得硕士学位，于1980年在英国谢菲尔德大学获得博士学位。1971年到1996年期间，在日本富士通Fujitsu实验室工作，主要从事III-V半导体材料和器件的研究，包括LED，激光器，探测器以及用于电信和光互联系统的光子集成电路（OEICS）。他于1996-2001年在日本筑波市的FESTA实验室进行NEDO/ME项目的研究，主要内容是关于飞秒超快全光开关的发展。在2001-2010年，他曾任日本神户大学的工程研究生院教授，同时担任纳米材料和超快光子器件小组的组长。他是IEEE、OSA、IEICE和JSAP的会士（Fellow）。现任日本学术振兴会北京代表处所长、日本神户大学客座教授。