相变记录材料已被成功地应用于相变存储器和相变光盘。假若相变材料能引入自旋，就可以利用相变来快速、可逆地控制其磁性翻转，从而实现相变存储与磁存储的完美融合，此类材料也可给自旋电子器件、磁传感器和逻辑器件等提供一个诱人的新选择。
武汉光电国家实验室信息存储材料及器件研究团队的童非等博士生在缪向水教授的指导下，通过向一种传统稳定的相变材料GeTe中引入自旋，测量相变前后这种新型相变磁性材料的磁化行为。发现在可逆相变过程中，材料的磁性随着相变也发生着可逆的变化，并且在某一确定状态下，饱和磁化强度基本保持一致，实现了相变控制磁性的功能。在进一步研究调控机理过程中，测量了材料在晶态和非晶态时场冷和零场冷磁温曲线，发现晶态磁化表现出长程磁相互作用行为，而非晶态磁化则表现出短程磁相互作用行为，而这与相变过程中结构变化特征是一致的。审稿人认为：They proposed new mechanism of phase change control of ferromagnetism. The results obtained in paper are new and interesting. 研究成果发表在Appl. Phys. Lett. 99, 081908 (2011).